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HK-HS864 絕緣子憎水性帶電檢測(cè)裝置產(chǎn)品概述
HK-HS864 絕緣子憎水性帶電檢測(cè)裝置、絕緣子良好的憎水性可以很好的防止污閃，減少事故發(fā)生。所謂憎水性是指絕緣子表面不易受潮，吸附的水分以不連續(xù)的孤立小水珠的形式存在，不形成連續(xù)水膜，從而限制了表面泄漏電流，提高閃絡(luò)電壓。憎水性等級(jí)較差的絕緣子在運(yùn)行中極易發(fā)生沿面閃絡(luò),造成污閃。污閃事故往往造成大面積、長(zhǎng)時(shí)間停電,導(dǎo)致經(jīng)濟(jì)受到嚴(yán)重?fù)p失，因此復(fù)合絕緣子在出廠前必須進(jìn)行憎水性等級(jí)評(píng)價(jià)。
復(fù)合絕緣子憎水性實(shí)驗(yàn)室評(píng)價(jià)系統(tǒng)是基于IEC推薦的由瑞典輸配電研究所（STRI）提出的憎水性檢測(cè)技術(shù)噴水分級(jí)法，按照電力行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)（DL/T 864-2004，GB24622-2009）中對(duì)噴水分級(jí)法的規(guī)定，對(duì)絕緣子傘裙進(jìn)行精確定量噴灑水霧；拍攝被測(cè)絕緣子表面高清憎水圖片；并由憎水性分析軟件進(jìn)行分析；軟件基于先進(jìn)的數(shù)字圖像處理技術(shù)，通過(guò)提取憎水性圖片的信息熵、種子率、頻譜幅值等信息，計(jì)算水珠或水跡的形狀因子和面積百分比，對(duì)復(fù)合絕緣子的憎水性狀態(tài)進(jìn)行客觀判斷，最終按照DL/T810-2012中對(duì)憎水性的等級(jí)特征描述，確定絕緣子憎水性級(jí)別。
（1）采用噴水分級(jí)法（即HC法）輔助以靜態(tài)接觸角法（即CA法）
（2）工作人員把待測(cè)絕緣子掛入試驗(yàn)機(jī)柜。
（3）先對(duì)待測(cè)傘裙進(jìn)行定量噴灑水霧，然后用設(shè)備上的相機(jī)對(duì)噴水后的絕緣子進(jìn)行拍照保存。
（4）將拍攝存儲(chǔ)到電腦上的憎水性圖像導(dǎo)入憎水性分析軟件中，進(jìn)行判斷絕緣子的憎水等級(jí)。
噴水分級(jí)法將絕緣子表面憎水性分為HC1-HC7 七個(gè)等級(jí)，HC1級(jí)對(duì)應(yīng)憎水性最好的狀態(tài)，HC7則對(duì)應(yīng)完全親水性的表面。本裝置采用如下所述的兩種方法來(lái)對(duì)絕緣子表面的憎水性狀態(tài)進(jìn)行分級(jí)。
（1）圖像對(duì)比法
表1 不同憎水性等級(jí)的圖像特征描述（注：θr接觸角）
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HC值 |
絕 緣 子 表 面 水 滴 的 狀 態(tài) |
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1 |
僅形成分離的水珠，大部分水珠θr≥80° |
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2 |
僅形成分離的水珠，大部分水珠50°<θr<80° |
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3 |
僅形成分離的水珠，水珠一般不再是圓的，大部分水珠20°<θr≤50° |
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4 |
同時(shí)存在分離的水珠和水膜（θr＝0°），總的水膜覆蓋面積<被測(cè)面積的90％，最大的水膜面積<2cm2 |
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5 |
總的水膜覆蓋面積<被測(cè)面積的90％，最大的水膜面積>2cm2 |
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6 |
總的水膜覆蓋面積>被測(cè)面積的90％，有少量的干燥區(qū)域（點(diǎn)或狹窄帶） |
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7 |
全部試驗(yàn)面積上覆蓋了連續(xù)的水膜 |
（2）改進(jìn)形狀因子法
通過(guò)計(jì)算絕緣子憎水圖像中的最大水珠（或最大水膜）的面積比K和形狀因子fc，并依據(jù)表2-1所示判據(jù)來(lái)進(jìn)行分級(jí)。面積比K的計(jì)算公式為：
（2－1）式中，最大水珠（水跡）的面積和圖像總面積的單位均為像素。形狀因子fc由專用計(jì)算公式得到。
